47/1862/FDIS:2006-04
Stabilitätsprüfung unter Temperatur-
Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET)
Stabilitätsprüfung unter Temperatur-
Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET)
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